Flash Memory Recovery

논리손상

• 사용자의 실수
• 응용 프로그램의 결함
• 바이러스 등에 의한 손상
• 포맷, 삭제, 덮어씌움
• 파티션 삭제

물리손상

• 배드섹터(CRC오류)
• 충격
• 과전류
• 침수
• 화재등에 의한 단자 및  소자 , 회로손상

논리적인 장애 발생

파티션삭제,파일삭제,폴더삭제, 포맷등의 경우 해당 USB메모리,CF카드,SD카드에 자료를 저장하는 것은 복구율을 현저히 낮게하는 직접적인 원인이 됩니다. 자료 저장을 자제하시고 복구 전문업체에 문의 하시기 바랍니다.

DIY 복구 작업을 하더라도 복구된 자료를 원본에 저장하는 것은 피해야 합니다.

물리적인 장애 발생

USB단자손상의 경우 간단한 작업으로 복구 가능하지만 배드셀이 있는 경우나 인식불가인 경우 전원을 계속인가 하게 되면 플래시 메모리의 상태가 급속도로 나빠질 수 있으므로 피해야합니다.

전원인가시 무반응

과전류로 인해 Flash Memory의 소자가 타버린 경우 전원인가를 하더라도 반응이 없습니다. 이런 경우 동일 제픔 이용해서 복구 하는 방법이 있으나 NAND FLASH MEMORY 손상이 발생한 경우에는 복구 불가합니다. 단순 소자 손상의 경우 복구 과정이 어렵지 않으나 과전류로 인해 주요소자(MCU, NAND FLASH MEMORY)가 동시에 손상되는 예도 많이 있습니다. 다양한 자재와 장치의 상태를 정확하게 체크할 수 있는 복구전문업체에 문의하시기 바랍니다.

침수

침수로 인해 물속에 잠긴 경우에는 건조후 전원인가를 하게되면 정상적으로 작동하는 경우가 있으나 건조 되지 않은 상태에서 전원인가를 하는 경우 소자 손상이 발생될 수 있으니 주의하시기 바랍니다. 건조되지 않은 상태에서 전원인가를 하여 소자 손상이 발생한 경우 반드시 복구 전문 업체에 문의하시기 바랍니다.

화재

화재의 경우에는 소자가 타고 특히 주요소자(MCU,FLASH MEMORY) 의 손상이 발생한 경우 복구가 불가능 할 수 도 있습니다. 이런 경우 복구 전문업체에 분석을 의뢰하여 소자의 손상 정도를 파악해서 복구 여부를 판단해야 합니다.

충격이 가해진 경우

충격을 가한 경우 단자나 소자 손상이 발생할 수도 있습니다. 주요소자(MCU, FLASH MEMORY) 에 크랙이 발생한 경우 복구가 불가능합니다.(예외적으로 CHIP OFF가 가능한 경우 FLASH MEMORY만으로도 복구가 가능한 경우도 있습니다)

배드체크 프로그램 사용시

배드체크 프로그램은 장치에 복구 해야 할 자료가 있는 경우에는 절대 사용해서는 안됩니다. 논리적인 배드인 경우 저장 장치내의 자료를 변형시킬 수 있고 물리적인 배드인 경우에는 배드섹터 영역이 전영역으로 퍼질 수 있습니다. 물리적인 배드가 있는 저장장치를 장시간 체크하는 경우 FLASH MEMORY의 손상이 심해지는 예도 많이 확인되고 있습니다. 배드가 있는 FLASH MEMORY자료를 복구하고자 하는 경우에는 전원인가를 자제하고 복구전문업체에 문의하시기바랍니다.

복구 유틸리티 사용시

복구 유틸리티의 기능이 개선되고 있고 약간의 지식만 있으면 DIY 복구가 가능합니다.  단 복구된 자료는 자료 확인전까지는 절대 원본에 저장해서는 안되며 미확인 복구자료의 원본저장시 복구작업이 불가능한 상태로 악화될 수 도 있습니다. 복구작업 진행중 CRC 오류나 검색 또는 저장시간이 늦는 경우에는 배드섹터가 있을 가능성이 높기 때문에 작업을 중단하고 복구전문업체에 의뢰하시기 바랍니다.

인터페이스

USB,CF,SD,MICRO SD, MEMORY STICK. 일체형메모리

제조사

트랜센드,마이크론,AXXEN,이메이션,커세어,메모렛,도시바,킹스톤,소니,샌디스크,삼성,LG등

운영체제

윈도우 계열, 리눅스 계열, 유닉스 계열, 맥계열 등

파일시스템

NTFS,ReFS,FAT/FAT32,ExFAT,SGI XFS,Apple HFS/HFS+,IBM JFS/JFS2,Ext2-Ext4,ReiserFS,UFS/UFS2,Novell NWFS/NSS,VMware VMFS, 기타 파일시스템

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